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2023-12-25 09:53IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，即绝缘栅双极型晶体管，它的内部结构是：
由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)等组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
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