apd什么意思？

一、apd什么意思？

APD一种国际常用名词，包括德国APD蓄电池、雪崩光电二极管、阿普达国际（集团）有限公司、动作电位时程等。

德国APD蓄电池创建于2002年10月18日,由德国APD电气有限公司投资兴建,注册资金145,000万元,占地面积62,500平方米。

公司先后通过ISO9001质量体系认证,ISO14001环境管理体系认证和OHSAS18001健康与安全管理体系认证,连年荣获“中国外商投资双优企业”、等称号,生产的产品先后获得了美国UL认证、德国VdS认证。产品符合中国ROHS指令严格要求。

二、富士apd什么意思？

变迹滤镜

英文全称Apodization filter，实际是一种用于优化镜头焦外成像质量的解决方案。APD滤镜使光线经过镜头时从中心到边缘均匀衰减，并使得成像的边缘有效模糊，因此镜头可以实现柔和美丽的焦外效果。

apd加了变迹滤镜，其实就是虚化后的焦外好看一点，然后实际进光量变成了光圈1.7，所以个人觉得普通版就足够了，光圈也不会有损失。

三、APD什么意思啊？

APD是指动作电位时程，是一个医学概念，动作电位时程，英文缩写：APD（action potential duration）。APD的形成条件：

1、细胞膜两侧存在离子浓度差，细胞膜内K+浓度高于细胞膜外，而细胞外Na+、Ca2+、Cl-高于细胞内，这种浓度差的维持依靠离子泵的主动转运。（主要是Na+　-K+泵的转运）。 　

2、细胞膜在不同状态下对不同离子的通透性不同，例如，安静时主要允许K+通透，而去极化到阈电位水平时又主要允许Na+通透。 　

3、可兴奋组织或细胞受阈上刺激。扩展资料：APD的形成机制：1、阈刺激或阈上刺激使膜对Na+的通透性增加，Na+顺浓度梯度及电位差内流，使膜去极化，形成动作电位的上升支。2、Na+通道失活，而 K+通道开放，K+外流，复极化形成动作电位的下降支。3、钠泵的作用，将进入膜内的Na+泵出膜外，同时将膜外多余的 K+泵入膜内，恢复兴奋前时离子分布的浓度。

四、apd项目是什么意思？

apd项目是automated-peritoneal-dialysis的英文缩写，指的是自动化腹膜透析，凡是利用腹膜透析机来进行腹透液交换的各种腹膜透析形式。

apd的应用大大缓解了患者白天腹透治疗对生活和工作的影响，也在很大程度上解放了有限的医护医疗资源。

apd也更易于达到透析充分性，腹内压较低、并发症发生率较少的特点。

五、消防apd是什么意思？

应该是消防a了ACP。

“FACP”是“Fire Alarm Control Panel”的缩写，意思是“火灾报警控制面板。

英语缩略词“FACP”经常作为“Fire Alarm Control Panel”的缩写来使用，中文表示：“火灾报警控制面板”。本文将详细介绍英语缩写词FACP所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词FACP的分类、应用领域及相关应用示例等

六、apd数据是什么意思？

APD数据库

APD数据库（antimicrobial peptide database――专门收录抗菌肽的数据库。

该数据库综合了蛋白质银行数据库 (PDB), Swiss-Prot 蛋白质知识库（Swiss-Prot Protein Knowledgebase ），和公共国家医学图书馆（PubMed National Library of Medicine）的数据。该数据库的肽段以成熟和活性的形式存在，主要是从细菌、真菌、植物、动物获得的。一些合成的抗菌肽也被该数据库收录，但是没有收录大于100个氨基酸残基的抗菌肽。

七、APD是什么意思啊？

1. APD的意思是蓄电池。

2.德国APD蓄电池创建于2002年10月18日,由德国APD电气有限公司投资兴建,注册资金145,000万元,占地面积62,500平方米。

八、apd工作原理？

工作原理:

碰撞电离和雪崩倍增

一般光电二极管的反偏压在几十伏以下，而APD的反偏压一般在几百伏量级，接近于反向击穿电压。 当APD在高反偏压下工作，势垒区中的电场很强，电子和空穴在势垒区中作漂移运动时得到很大的动能。

碰撞电离过程

它们与势垒区中的晶格原子碰撞产生电离，激发产生的二次电子与空穴在电场下得到加速又碰撞产生新的电子－空穴对，如此继续，形成雪崩倍增效应。

九、apd在药学里是什么意思？

英文缩写：APD（action potential duration） 中文译名：动作电位时程 分类：医学概念：可兴奋组织或细胞受到阈上刺激时，在静息电位基础上发生的快速、可逆转、可传播的细胞膜两侧的电变化。动作电位的主要成份是峰电位。

十、apd是光源吗？

雪崩光电二极管(APD)是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用电离碰撞（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。

某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术，允许加上更高的电压(>1500 V)而不致击穿，从而可获得更大的增益(>1000)。一般来说，反向电压越高，增益就越大。

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